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二氧化硅(IV)溅射靶, 50.8mm (2.0in) dia x 3.18mm (0.125in) thick, 99.995% (metals basis)
 
 
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二氧化硅(IV)溅射靶, 50.8mm (2.0in) dia x 3.18mm (0.125in) thick, 99.995% (metals basis)

Silicon(IV) oxide sputtering target

  • CAS编号：231-545-4
  • EINECS： 231-545-4
  • 产地： 美国
  • 分子式： SiO2
  • 纯度： 000-50
  • 分子量： 60.09
  • 英文名： Silicon(IV) oxide sputtering target, 50.8mm (2.0in) dia x 3.18mm (0.125in) thick, 99.995% (metals basis)
  • MDL编码： MFCD00011232
  • 销售价： ￥2705
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    each 现货↔231-545-4-1 ￥2705

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